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锗在室温下是稳定的，但也会生成GeO单层膜，时间长了会逐渐变成GeO2单层膜。而当锗的表面吸附了水蒸气便破坏了氧化膜的钝化性质，而生成厚的氧化物。

锗在较高温度下便氧化，且伴随有失重的现象，原因是生成了GeO，因其有较强的挥发性。研究者研究了锗表面氧化的过程，先在600℃时用CO还原锗，以排除锗表面的结合氧或吸附氧。再在25~400℃，10kPa的氧压下氧化锗，仅1min即形成了第一氧化层。当温度超过250℃很快形成第二氧化层。再升高温度，氧化速度显著变慢。在400℃氧化3h，形成厚度为1.75nm的GeO2膜。

锗在不同溶剂中的腐蚀溶解行为不同。n型锗的溶解电位比p型略正，在相同溶液中前者的溶解速度较快。锗易溶于加氧化剂的热酸、热碱和H2O2中。难溶于稀硫酸、盐酸和冷碱液。锗在100℃的水中是不溶的，而在室温下饱和氧的水中，溶解速度接近1ug/（cm.h）。

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